1、 單晶爐
單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶硅的設備。在實際生產單晶硅過程中，它扮演著控制硅晶體的溫度和質量的關鍵作用。
由于單晶直徑在生長過程中可受到溫度、提拉速度與轉速、坩堝跟蹤速度、保護氣體流速等因素影響，其中生產的溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內在質量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測才能獲知，單晶爐主要控制的方面包括晶體直徑、硅功率控制、泄漏率和氬氣質量等。
2、 氣相外延爐
氣相外延爐主要是為硅的氣相外延生長提供特定的工藝環境，實現在單晶上生長與單晶晶相具有對應關系的薄層晶體。外延生長是指在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯電阻，又要求材料能耐高壓和大電流，因此需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層。
氣相外延爐能夠為單晶沉底實現功能化做基礎準備，氣相外延即化學氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系。
3、 氧化爐
硅與含有氧化物質的氣體，例如水汽和氧氣在高溫下進行化學反應，而在硅片表面產生一層致密的二氧化硅薄膜，這是硅平面技術中一項重要的工藝。氧化爐的主要功能是為硅等半導體材料進行氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現半導體預期設計的氧化處理過程，是半導體加工過程的不可缺少的一個環節。
4、 磁控濺射臺
磁控濺射是物理氣相沉積的一種，一般的濺射法可被用于制備半導體等材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。在硅晶圓生產過程中，通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域，實現高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。
5、 化學機械拋光機
一種進行化學機械研磨的機器，在硅晶圓制造中，隨著制程技術的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻技術對晶圓表面的平坦程度的要求越來越高，IBM公司于1985年發展CMOS產品引入，并在1990年成功應用于64MB的DRAM生產中，1995年以后，CMP技術得到了快速發展，大量應用于半導體產業。
化學機械研磨亦稱為化學機械拋光，其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結合的加工技術，是目前機械加工中唯一可以實現表面全局平坦化的技術。在實際制造中，它主要的作用是通過機械研磨和化學液體溶解“腐蝕”的綜合作用，對被研磨體（半導體）進行研磨拋光。
6、 光刻機
又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，常用的光刻機是掩膜對準光刻，一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。
7、 離子注入機
它是高壓小型加速器中的一種，應用數量最多。它是由離子源得到所需要的離子，經過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導體材料、大規模集成電路和器件的離子注入，還用于金屬材料表面改性和制膜等 。
在進行硅生產工藝里面，需要用到離子注入機對半導體表面附近區域進行摻雜，離子注入機是集成電路制造前工序中的關鍵設備，離子注入是對半導體表面附近區域進行摻雜的技術目的是改變半導體的載流子濃度和導電類型，離子注入與常規熱摻雜工藝相比可對注入劑量角度和深度等方面進行精確的控制，克服了常規工藝的限制，降低了成本和功耗。
8、 引線鍵合機
它的主要作用是把半導體芯片上的Pad與管腳上的Pad，用導電金屬線（金絲）鏈接起來。引線鍵合是一種使用細金屬線，利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊合，實現芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下，引線和基板間會發生電子共享或原子的相互擴散，從而使兩種金屬間實現原子量級上的鍵合。
9、 晶圓劃片機
因為在制造硅晶圓的時候，往往是一整大片的晶圓，需要對它進行劃片和處理，這時候晶圓劃片機的價值就體現出了。之所以晶圓需要變換尺寸，是為了制作更復雜的集成電路。
10、 晶圓減薄機
在硅晶圓制造中，對晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結構提出很高要求，因此在幾百道工藝流程中，不可采用較薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工藝過程中傳遞、流片。晶圓減薄，是在制作集成電路中的晶圓體減小尺寸，為了制作更復雜的集成電路。在集成電路封裝前，需要對晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度，這一工藝需要的裝備就是晶片減薄機。
當然了，在實際的生產過程中，硅晶圓制造需要的設備遠遠不止這些。之所以光刻機的關注度超越了其它半導體設備，這是由于它的技術難度是最高的，目前僅有荷蘭和美國等少數國家擁有核心技術。近年來，國內的企業不斷取得突破，在光刻機技術上也取得了不錯的成績，前不久，國產首臺超分辨光刻機被研制出來，一時間振奮了國人，隨著中國自主研發的技術不斷取得進步，未來中國自己生產的晶圓也將不斷問世。
生產設備清潔的操作規程應當規定具體而完整的清潔方法、清潔用設備或工具、清潔劑的名稱和配制方法、去除前一批次標識的方法、保護已清潔設備在使用前免受污染的方法、已清潔設備最長的保存時限、使用前檢查設備清潔狀況的方法，使操作者能以可重現的、有效的方式對各類設備進行清潔。
如需拆裝設備，還應當規定設備拆裝的順序和方法；如需對設備消毒或滅菌，還應當規定消毒或滅菌的具體方法、消毒劑的名稱和配制方法。必要時，還應當規定設備生產結束至清潔前所允許的最長間隔時限。
由于半導體設備制造公司看手頭訂單量的主要數據是存貨和預付款，而技術實力的增長主要是研發支出，所以本篇從這兩個方面進行分析
（一）存貨
由上述數據可見，目前北方華創的在手未發出訂單所產生的存貨一直是在穩定向上增長的，不過存貨上漲幅度有所減緩，而中微公司從2019年第四季度開始進入存貨負增長階段，而2020年一季報更是大幅度負增長
在這里還有另外一個問題，兩者2019年的存貨增長幅度均大幅低于預期，北方華創相比之下低于預期的幅度較低（低于預期20%），而中微公司的存貨就是大幅度低于預期了（低于預期37%），未來還是要看半年報的數據是否能夠支持中微公司的股價上行
（二）預收款
由于會計準則改變，以往的預收款在2020年一季度改成合同負債，中微公司從2019年起預收款由于產能受限，無大幅度預收款增長，而北方華創在2020年一季度預收款大幅增長，進入業務高速擴張期，多平臺業務全面開花
（三）研發投入
北方華創3年來研發投入一直維持大幅增長的勢頭，而中微公司在2019年研發投入僅小幅增長
上圖研發費用預期為2019年下半年的研發費用預期，北方華創研發費用增長大幅高于預期（高于預期31.25%），而中微僅小幅高于預期
北方華創在維持較高的研發資本化的情況下，研發費用仍然大幅度增長
在半導體設備行業高速發展的4年時間中，隨著兩家龍頭企業營收的不斷增長，研發投入占營收比必然是不斷在下降的，但是北方華創在2019年不僅研發投入占營收比沒有下降，還進一步的出現增長
總結：如果就這三個方面的數據而言，我必然更傾向于北方華創會在短期內優于中微公司，中微公司受限于產能無法在短期內取得營收的大幅度增長，但是北方華創在多次融資和項目的先發優勢下，已經進入了資本兌現的時期，高速發展不足以形容現在的北方華創，我個人更傾向于用中國半導體一個璀璨的明珠這句話來形容北方華創
半導體，指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極管就是采用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。 半導體設備有激光打標機，激光噴碼機，包裝機，純水機等等
半導體激光器通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶（導帶與價帶）之間，或者半導體物質的能帶與雜質（受主或施主）能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處于粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時便產生受激發射作用。
半導體激光器的激勵方式主要有三種：
1、電注入式
電注入式半導體激光器一般是由GaAS（砷化鎵）、InAS（砷化銦）、Insb（銻化銦）等材料制成的半導體面結型二極管，沿正向偏壓注入電流進行激勵，在結平面區域產生受激發射。
2、電子束激勵式;
電子束激勵式半導體激光器一般用N型或者P型半導體單晶（PbS、CdS、ZhO等）作為工作物質，通過由外部注入高能電子束進行激勵。
3、光泵浦激勵式;
光泵浦激勵式半導體激光器一般用N型或P型半導體單晶（GaAS、InAs、InSb等）作為工作物質，以其它激光器發出的激光作光泵激勵。
半導體設備即為利用半導體元件制造的電氣設備。
半導體，指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極管就是采用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。
半導體設備有激光打標機，激光噴碼機，包裝機，純水機等等
半導體生產過程中的主要設備：
1、單晶爐。設備功能：熔融半導體材料，拉單晶，為后續半導體器件制造，提供單晶體的半導體晶坯。
2、氣相外延爐。設備功能：為氣相外延生長提供特定的工藝環境，實現在單晶上，生長與單晶晶相具有對應關系的薄層晶體，為單晶沉底實現功能化做基礎準備。氣相外延即化學氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系。
3、分子束外延系統。設備功能：分子束外延系統，提供在沉底表面按特定生長薄膜的工藝設備；分子束外延工藝，是一種制備單晶薄膜的技術，它是在適當的襯底與合適的條件下，沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜。
4、氧化爐（VDF）。設備功能：為半導體材料進行氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現半導體預期設計的氧化處理過程，是半導體加工過程的不可缺少的一個環節。
5、低壓化學氣相淀積系統。設備功能：把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入LPCVD設備的反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜。
6、等離子體增強化學氣相淀積系統。設備功能：在沉積室利用輝光放電，使其電離后在襯底上進行化學反應，沉積半導體薄膜材料。
7、磁控濺射臺。設備功能：通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域，實現高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。
半導體封裝是指將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后被切割為小的晶片（Die），然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細的金屬（金錫銅鋁）導線或者導電性樹脂將晶片的接合焊盤（Bond Pad）連接到基板的相應引腳（Lead）,并構成所要求的電路；然后再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護，塑封之后還要進行一系列操作，封裝完成后進行成品測試，通常經過入檢Incoming、測試Test和包裝Packing等工序，最后入庫出貨。 半導體封裝一般用到點膠機+膠水環氧樹脂，焊機+焊膏。典型的封裝工藝流程為：劃片、裝片、鍵合、塑封、去飛邊、電鍍、打印 、切筋和成型 、外觀檢查、 成品測試 、包裝出貨。 0
EFEM具有獨特的技術優勢，能夠滿足集成電路制造過程中的晶圓傳輸需求。
果納半導體設備前端模塊EFEM采用固定式多關節單臂雙叉型機器人，具有更高的穩定性、傳片效率，能夠滿足長期使用的高潔凈度要求；具有優異的內部氣流導向結構設計，保證了內部空間微環境的潔凈度滿足ISO Class 1級別要求，甚至能達到更高的無塵要求，因此在設計階段對系統整體的穩定性要求非常高。
不僅如此，EFEM還可以根據需求訂制晶圓承載臺數量，兼容所有符合 SEMI 標準的 FOUP、FOSB 、SMIF和OC料盒 。
一、氧化/擴散爐(高溫爐)
芯片的制造流程中，硅片表面通過氧化的方式生長一層氧化層，通過在氧化層上刻印圖形和刻蝕，達到對硅襯底進行擴散摻雜，激活硅片的半導體屬性，從而形成有效的PN結。
二、光刻設備
光刻的本質是把電路結構圖復制到硅片上的光刻膠上，方便之后進行刻蝕和離子注入。從集成電路誕生之初，光刻就被認為是集成電路制造工藝發展的驅動力。
三、涂膠顯影設備
涂膠顯影設備是光刻工序中與光刻機配套使用的涂膠、烘烤及顯影設備，包括涂膠機、噴膠機和顯影機。該設備不僅直接影響光刻工序細微曝光圖案的形成，對后續蝕刻和離子注入等工藝中圖形轉移的結果也有著深刻的影響。
四、刻蝕設備
刻蝕指將硅片上未被光刻膠掩蔽的部分通過選擇性去掉，從而將預先定義的圖形轉移到硅片的材料層上的步驟。
五、離子注入設備
一般而言，本征硅(即原始不含雜質的硅單晶)導電性能很差，只有當硅中加入少量雜質，使其結構和電導率發生改變時，硅才成為真正有用的半導體。
六、薄膜沉積設備
1、PVD設備
2、CVD設備
七、CMP設備
CMP（化學機械拋光）工藝指拋光機的拋光頭夾持住硅片相對拋光墊做高速運動，拋光液在硅片和拋光點之間連續流動，拋光液中的氧化劑不斷接觸裸露的硅片表面，產生氧化膜，然后借助拋光液中的微粒機械研磨作用去除氧化膜。
八、檢測設備
1、質量測量設備
2、電學檢測設備
九、清洗設備