晶圓基本原料編輯晶圓硅是由石英砂所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，經過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓
PVD沉積到材料表面的附著力較CVD差一些，PVD適用于在光電產業，而半導體制程中的金屬導電膜大多使用PVD來沉積，而其他絕緣膜則大多數采用要求較嚴謹的CVD技術
研磨廢水怎么處理？通過高級的回收處理，凈化處理，現在高科技水平很多，研磨廢水通過凈化處理，完全可以再次利用
金屬研磨機帶來諸多好處的同時,在研磨過程中會產生或多或少的研磨廢水。金屬研磨廢水一般含有大量的金屬、研磨液(主要是油),清洗液等污染物,若這些廢水不經處理,直接排放,將嚴重污染環境,必須經過處理方能排放
電子廠研磨廢水處理工藝:研磨廢水的集中→去除雜質→破乳（破乳劑Acase）→取油→水質凈化→取水樣化驗→廢水排放或供再循環使用.
化學鍍優點有很多，同樣也有缺點。
在處理廢水時，若廢水中的添加劑不多，成分簡單，則會容易處理，有些鍍液會添加緩沖劑，比如硼酸，也可能會添加光亮劑，濕潤劑等等。這些都不會對廢液的性質產生太大的影響，因為容易降解或者處理。但是化學反應鍍鎳時添加的絡合劑就會對廢水產生比較大的影響，它本身就對鎳離子具有絡合作用，在廢水中也會吸附鎳離子，重金屬捕捉劑，螯合劑等方法都無法解決這個問題，使除鎳對于電鍍行業成為難題。
化學鍍是一種新型的金屬表面處理技術，該技術以其工藝簡便、節能、環保日益受到人們的關注?；瘜W鍍使用范圍很廣，鍍金層均勻、裝飾性好。
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。
因此所生長的晶體的方向性是由籽晶所決定的，在其被拉出和冷卻后就生長成了與籽晶內部晶格方向相同的單晶硅棒
晶圓是生產集成電路所用的載體。
晶圓（英語：Wafer)是指硅半導體集成電路制作所用的硅芯片，是生產集成電路（integrated circuit，IC）所用的載體。而我們現實中比較常見到的硅晶片就要數電腦CPU和手機芯片。
在半導體行業，尤其是集成電路領域，晶圓的身影隨處可見。晶圓就是一塊薄薄的、圓形的高純硅晶片，而在這種高純硅晶片上可以加工制作出各種電路元件構，使之成為有特定電性功能的IC產品。
晶圓制造工藝：
表面清洗：晶圓表面附著大約2um的Al2O3和甘油混合液保護層，在制作前必須進行化學刻蝕和表面清洗。
初次氧化：由熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來減小后續中Si3N4對晶圓的應力氧化技術。
熱CVD：此方法生產性高，梯狀敷層性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產生反應，及氣體可到達表面而附著薄膜）等，故用途極廣。
以上內容參考：百度百科-晶圓
晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內晶圓生產線以8英寸和12英寸為主。
晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1片或多片晶圓。隨著半導體特征尺寸越來越小，加工及測量設備越來越先進，使得晶圓加工出現了新的數據特點。同時，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時，空氣中的顆粒數對晶圓加工后質量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數也出現了新的數據特點。
性能參數
硅晶圓和硅太陽能電池分別是半導體材料和半導體器件的典型代表。半導體特性參數衡量和表征材料及其器件的性能。
由于載流子是半導體材料及器件的功能載體，載流子移動形成電流及電場，同時載流子具有發光、熱輻射等特性，因此載流子參數是表征半導體材料及器件載流子輸運特性的基礎，即載流子參數是硅晶圓和硅太陽能電池特性參數的重要組成部分。
當硅晶圓經過加工、制造形成硅太陽能電池后，由于pn結和費米能級的差異，導致載流子分離形成電壓，進而有飽和電流、填充因子和光電轉化效率等電性能參數直觀反映并影響太陽能電池伏安特性。綜上分析，硅晶圓的主要特性參數包括載流子參數。
載流子分為多數載流子和少數載流子，包括電子和空穴。載流子擴散和漂移形成電流構成半導體器件傳遞信息的基礎。載流子輸運參數是描述載流子運動和濃度的基本參數，主要包括載流子壽命、擴散系數及前、后表面復合速率等。
這些參數直接反映了半導體材料的物理特性和電學性能，影響載流子濃度、遷移率；摻雜濃度是決定載流子濃度另一重要參數，影響材料電阻率和載流子壽命等參數，決定器件性能。